Intel, in collaborazione con ST Microelectronics, ha presentato all'IDF di Pechino un prototipo si memoria a cambiamento di fase e si è detta in grado di distribuire i primi campioni entro la metà dell'anno.
Queste memorie a cambiamento di fase sono costituite da un materiale simile a quello dei CD, suddiviso in minuscoli settori; quando uno di questi settori viene riscaldato assume una struttura cristallina, acquisendo la capacità di riflettere la luce e quindi memorizzando il bit 1; se viene nuovamente riscaldato perde la sua struttura cristallina e diventa opaco memorizzando il bit 0.
Questa tecnologia, vecchia di 30 anni, è la favorita per rimpiazzare la tecnologia flash perchè consuma molta meno energia, occupa meno spazio ed è molto più difficile perdere i dati memorizzati, l'unico difetto è che per modificare il materiale è necessario riscaldarlo fino a 600°C senza riscaldare i bit vicini.
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