Qualcomm ha annunciato ufficialmente il nuovo SoC high-end Snapdragon 835: la prossima soluzione flag-ship è realizzata con un processo di fabbricazione FinFET a 10nm ed è in grado, in accordo al produttore, di ridurre fino al 25% il consumo di potenza rispetto al SoC Snapdragon 820, pur essendo realizzato con un package più piccolo del 35%.

Questa caratteristiche che Qualcomm pone ampiamente in evidenza consente non soltanto di realizzare smartphone aventi una maggiore autonomia della batteria ma anche di diminuire le dimensioni fisiche di tali dispositivi.

Il SoC Snapdragon 835 di Qualcomm è basato su una architettura ARM aderente al paradigma big.LITTLE e include otto core Kryo 280: quattro core possono lavorare fino a 2.45GHz, al fine di offrire massime prestazioni, e altrettanti operano invece a 1.9GHz per ottimizzare l'efficienza energetica in tutti gli ambiti applicativi a basso carico computazionale.

Il SoC Snapdragon 835 di Qualcomm integra la GPU ad alte prestazioni Areno 540, un processore grafico che supporta in hardware le API e tecnologie grafiche OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, Vulkan e DirectX 12, e il modem Snapdragon X16 compatibile con gigabit LTE. Inoltre, il SoC Snapdragon 835 supporta la connettività Wi-Fi 802.11ad.

In accordo a Qualcomm, il SoC Snapdragon 835 è in grado di esibire prestazioni con il rendering 3D superiori del 30% rispetto a quelle offerte dai prodotti della generazione precedente, ed è progettato per gestire al meglio i display esterni 4K Ultra HD e gli ambiti applicativi orientati alla VR e alla AR.

Lo Snapdragon 835 di Qualcomm viene già prodotto in volumi: nella prima parte del 2017 saranno commercializzati i primi dispositivi che lo utilizzano.

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