Intel Corporation e Micron Technology hanno annunciato in maniera congiunta la realizzazione di una device NAND Flash di tipo multilevel-cell (MLC) caratterizzata da una densità pari a 128Gb.

In accordo ai chip maker, la nuova soluzione, il cui sviluppo è stato eseguito dalla joint venture IM Flash Technologies (IMFT) da essi composta, permette la realizzazione di package che, utilizzando soltanto 8 die, consentono la memorizzazione di un terabit (Tb). La dimensione superficiale di un circuito di questo tipo è tale da essere confontabile con la punta di un dito.

La nuova device è stata progettata in maniera conforme con le specifiche ONFI 3.0; di conseguenza, essa è caratterizzata da una velocità misurata in 333 megatransfers per second (MT/s), ovvero garantisce 333 milioni di trasferimenti al secondo e risulta indicata per l'utilizzo in abbinamento ai tablet, agli smartphone e ad altri sistemi consumer di tipo SFF (Small Form Factor).

In accordo ai produttori, la nuova NAND flash da 128Gb offre prestazioni pari al doppio di quelle esibite dalla soluzione a 20nm e da 64Gb, a proposito della quale è stato ufficializzato da Intel Corporation e Micron Technology l'avvio della produzione in volumi nel corso del mese corrente.

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