Elpida Memory ha reso noto di aver completato la fase di sviluppo di nuovi moduli low-power di memoria RAM di tipo DDR3 (LPDDR3) con densità di 4Gb mediante un processo di fabbricazione a 30nm.

In accordo al produttore, i nuovi moduli assicurano un transfer rate di 1600Mbps, pari sostanzialmente al doppio di quello esibito dalle attuali RAM DDR2 a basso consumo (LPDDR2), a fronte di una tensione di polarizzazione molto bassa, pari a 1.2V (in questo caso il delta rispetto alla generazione precedente è del 25%).

I nuovi moduli sono finalizzati alla realizzazione delle device mobile di nuova generazione: poichè il transfer rate menzionato in precedenza è relativo al singolo PIN, Elpida ha anche indicato quelli complessivi in configurazione a chip singolo e in coppia, pari rispettivamente a 6.4GB/s e 12.8GB/s.

I primi sample degli LPDDR3 di Elpida saranno spediti a partire dalla fine del 2011, mentre la produzione avrà inizio nella seconda parte del 2012, anche in funzione delle esigenze del mercato.

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