Con il comunicato stampa di seguito allegato, Samsung Electronics ha annunciato l'avvio della produzione in volumi di chip di memoria DRAM di tipo Low-Power DDR2 (LPDDR2) da 4Gb con l'ausilio di un processo di fabbricazione basato sulla tecnologia a 30nm. La nuova memoria LPDDR2 di Samsung è finalizzata all'impiego nei sistemi mobile, come smartphone e tablet PC.

L'elevato livello di integrazione dei dispositivi, frutto del processo a 30nm, ha permesso di ridurre in maniera significativa sia le dimensioni del chip che il suo consumo di potenza rispetto a quelli della stessa tipologia di DRAM relativa però alla generazione precedente (la capacità in questo caso è pari a 2Gb, ndr). Più in dettaglio, le nuove soluzioni di Samsung hanno un package la cui altezza è diminuita del 20% (da 1mm a 0.8mm) e consumano il 25% in meno di potenza elettrica.

In accordo al produttore, le nuove memorie LPDDR2 a 30nm lavorano con un bit-rate pari a 1.066Mbps; infine, Samsung ha già annunciato il prossimo inizio della produzione di moduli LPDDR2 da 1GB (2x4Gb) e da 1GB (4x4Gb) ottenuti con la stessa tecnologia.